Samsung está preparada para revolução dos chips de 4 nm

A Samsung revelou ontem (24) seus planos para o futuro dos semicondutores, que devem ser colocados em prática a partir do próximo mês de julho. Após ter sido a primeira empresa a lançar chips de 14 nm e 10 nm, a companhia sul-coreana deve liderar a indústria em busca da tecnologia para a fabricação de processadores de até 4 nm, segundo foi revelado.

 

O anúncio do que chamaram de “roteiro da tecnologia de processo de fundição abrangente” detalhou como a empresa pretende ajudar clientes a projetar e fabricar chips mais eficientes. Tudo foi feito no Samsung Foundry Forum 2017 com apresentação de Kinam Kim, presidente da área de semicondutores da Samsung Electronics.

 

Painel do Samsung Foundry Forum 2017

 

 

A primeira implementação da próxima geração de arquitetura de dispositivos vai surgir na forma dos chips de 4 nm, com estrutura MBCFET (Multi Bridge Channel FET). Para superar o dimensionamento físico e as limitações de performance da arquitetura FinFET (a estrutura atual de chips), a Samsung vai usar a tecnologia GAAFET (Gate All Around FET), que utiliza um dispositivo Nanosheet.

 

Kinam Kim, presidente da área de semicondutores da Samsung Electronics

 

Jong Shik Yoon, vice-presidente executivo da área de fundição eletrônica da Samsung Electronics, afirmou que “o roteiro avançado de tecnologia de processo da Samsung Foundry é um testemunho da natureza colaborativa de nossos relacionamentos com parceiros, clientes e ecossistemas. A inclusão dessas tecnologias de processo permitirá uma explosão de novos dispositivos que conectarão os consumidores de maneiras nunca antes vistas”.

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